Mô-đun công suất SiC MOSFET
Mô-đun silicon carbide cho biến tần 800V và bộ sạc nhanh hiệu suất cao.
SiC800V
Giá phụ thuộc vào thông số, số lượng và điều kiện giao hàng. Hãy thêm linh kiện này vào giỏ báo giá, chúng tôi sẽ gửi báo giá phù hợp cho bạn.
Số lượng
Thông số tiêu biểu
- Cấp điện áp
- 1,200 V
- Dòng định mức
- 200–800 A
- Cấu trúc mạch
- Half-bridge / six-pack
Các giá trị là dải tham khảo cho loại linh kiện này. Thông số cuối cùng được xác nhận trong báo giá.
Linh kiện liên quan
Mô-đun công suất IGBT
Mô-đun IGBT sáu khóa hoặc nửa cầu cho biến tần kéo 400V.
MOSFET / IGBT công suất rời
Linh kiện rời cấp ô tô cho OBC, DC-DC và truyền động phụ.
Không tìm thấy linh kiện bạn cần?
Hãy gửi mô tả, mã linh kiện OEM hoặc toàn bộ BOM. Chúng tôi tìm nguồn cả ngoài danh mục này.